Презентація на тему:
Спостереження механоелектричного ефекту в Не II О. С. Рибалко ФНТ 30, №12 (2004) О. С. Рибалко, С. П. Рубець ФНТ 31, №7 (2005)

Спостереження механоелектричного ефекту в Не II О. С. Рибалко ФНТ 30, №12 (2004) О. С. Рибалко, С. П. Рубець ФНТ 31, №7 (2005) 1) Блок-схема регістрації електричної індукції у хвилі другого звуку в НеІІ (надпливна і нормальна частини рідини рухаються назустріч) 2) Співвідношення сигналів коливань температури та індукції при однакових потужностях випромінювача. 3) Блок-схема виміру електричної індукції при механічному збудженні відносного руху надпливної і нормальної компонент Температурна залежність амплітуд коливань бокової стінки осцилятора (A) та електричної індукції (V) Часова залежність амплітуд коливань індукції (верхня крива) та бокової стінки осцилятора (нижня крива) 1) 2) 3)

Виявлено аномальний хід залежності перерізів гальмового випромінювання від енергії електронів, розсіюваних на атомах аргону та криптону О.В. Гнатченко, Г.О. Ткаченко, Е.Т. Верховцева, Б.А. Зон Phys. Rev. Lett. 95, 023002 (2005) Згідно з теорією гальмового випромінювання (ГВ) Бете-Гайтлера-Заутера, розробленою ще у 1934 р., переріз гальмового випромінювання при куті між напрямком руху електрона та напрямком розповсюдження гальмового фотону 90 має вигляд: де см – класичний радіус електрона, =1/137, v, v′– швидкості електрона до і після зіткнення, E – енергія електрона, Z – заряд ядра атома, – енергія кванта. Тобто: До теперішнього часу всі експериментальні дослідження підтверджували такий хід залежності. Наприклад, у роботах: 1. R. Hippler et al. Phys. Rev. Lett. 46, 1662 (1981). 2. M. Semaan, C. Quarles. Phys. Rev. A24, 2280 (1981); Phys. Rev. A26, 3152 (1982). При дослідженні гальмового випромінювання, що виникає при розсіюванні електронів з енергією від 0,3 до 2 кеВ на надзвукових струменях інертних газів, отримано такі залежності. Ar Kr 1 – =7 нм 2 – =8 нм 3 – =9 нм 1 – =7,5 нм 2 – =8 нм 3 – =8,5 нм Як видно з рисунків, замість передбаченого теорією спаду перерізу спостережено його зростання до добре вираженого максимуму, а потім спад зі збільшенням енергії електронів. У рамках наближення м’яких фотонів з урахуванням розробленого феноменологічного уточнення E (E-ħ )2/E розрахований хід залежності перерізів ГВ від енергії електронів задовільно узгоджується з експериментальними результатами.

МЕХАНІЗМ S-N ТРАНСФОРМАЦІЇ ФАЗОВОГО СТАНУ ШИРОКОЇ ПЛІВКИ ПІД ДІЄЮ ТРАНСПОРТНОГО СТРУМУ В.М.Дмитрієв, І.В.Золочевський, Т.В.Саленкова, Є.В.Христенко, ФНТ, 31, №2, 169-181 (2005)

Спіновий транзистор з електричним керуванням Р.М.Гуржи, О.М.Калиненко, О.І.Копеліович, А.В.Яновський Раніше: спін-орбітальна взаємодія перевертає спін, підсилення спінового сигналу немає. Нова ідея: просторове розділення спінових компонент струму у “спіногоні” та керування ними електричними затворами. Магнетик, що пропускає тільки спіни униз - Напівпровідник - Зони збіднення (діелектрик) Два такти роботи транзистора: перший – затвори відкриті, другий – затвори закриті Поляризація підсиленого сигналу 0,5 1 t Поляризація послабленого сигналу Час t (у одиницях періоду сигналів) спінова поляризація Результат: інформативний спіновий сигнал підсилюється

Виявлення ефекту передачі спінового обертового моменту в N-F наноконтактах та впливу на нього режиму протікання струму Магнітні шаруваті N–F структури, що складаються поперемінно із немагнітного (N) і феромагнітного (F) металічних шарів є песпективними базовими елементами майбутніх електронних пристроїв для “спінтроніки”. Передача спінового обертового моменту (ПСОМ, «spin transfer torque») потоком спін-поляризованих, завдяки “товстому” F шару, електронів високої густини (>108 А/см2) в “тонкий” F шар приводить до “збудження” в ньому магнітної підсистеми і викликає мікрохвильову генерацію та скачок провідності, що є предметом вивчення багатьох теоретичних і експериментальних робіт, починаючи з піонерських публікацій [1,2]. Ми виявили [3] аналогічний ефект (скачок опору, див. червону криву) для точкових контактів на основі Со. Піки на dV/dI або N-сплески на R-1dR/dV dV2/dI2 виникають тільки тоді, коли електрони інжектуються в феромагнетик, що поряд із зсувом піків в область більших струмів в магнітному полі (див. вставку) підтверджує магнітну природу ефекту. Виявлено [3], що даний ефект (N-сплески на червоній кривій) спостерігається в випадку коли електрони випробовують істотне розсіювання в області контакту, що відображує деградація фононних максимумів dV2/dI2 спектру. Ефект ПСОМ не проявляється в контактах близьких до балістичних (синя крива) з чіткими фононними максимумами. [1] J.C. Slonczewski, J. Mag. Mag. Mat. 159, L1 (1996); L. Berger, Phys. Rev. B 54, 9353 (1996). [2] M. Tsoi, et. al., Nature 406, 46 (2000). E.B. Myers, et. al., Science 285, 867 (1999). [3] I. K. Yanson, Yu. G. Naidyuk, D. L. Bashlakov, et al. Phys. Rev.Lett., 95, 186602 (2005). В N–F мікроконтакті, з однією границею N–F розділу виявлені ті ж особливості dV/dI-характеристик, що спостерігались раніше для більш складних структур: трьохшарових наноколонок F-N–F і багатошарових N–F-N–F….. структур. Висновки Академік НАНУ І.К.Янсон Показано, що ефект ПСОМ має більш загальний характер, він може проявлятись і без наявності спін поляризованого потоку електронів, а для його реалізації істотним є зворотнє розсіювання (backscattering) домішками відбитих на N/F границі електронів, що створює вторинний спін поляризований електронний потік. Приведені результати вказують на можливість нового механізму реалізації ПСОМ, що важливо для подальшого розуміння деталей спінового транспорту.

Багатофотонні переходи між енергетичними рівнями у Джозефсонівському фазово-зарядовому кубіті Проведено теоретичне та експериментальне дослідження динамічної нелінійної поведінки фазово-зарядового кубіта (перспективного елемента квантового комп’ютера). Спостережені багато-фотонні збудження кубіта під дією мікрохвильового опромінювання. О.М.Омельянчук, В.І.Шнирков, С.М.Шевченко Physical Review B 73, 0245506, 2006 Джозефсонівський зарядово-фазовий кубіт – макроскопічний „атом” принципова схема експериментальна реалізація мікрохвильове опромінювання частотою ω викликає переходи між енергетичними рівнями E0 і E1 при ħ ω n = E1- E0, n=1,2,3,… - одно-, двух-, трьох- … фотонні процеси Індуктивний відгук кубіта в залежності від різниці фаз на контакті δ для різних потужностей збудження і фіксованої частоти ω/2 =7,05 Ггц. Стрілочки показують з’явлення 1, 2 та 3- фотонних переходів

Магнітний лінійний дихроїзм в антиферомагнітному кристалі MnF2 В смугах екситонного та екситон-магнонного поглинання світла мож- на очікувати значної величини ефекту. Екситони в підгратках 1 і 2 збуджуються квантами світла поляризованими вздовж Y і X. Їх енергії однакові, але в магнітному полі H||z||k енергетичне виродження знімається і з’являється дихроїзм лінійно поляризованого світла. Знаки дихроїзму в доменах АФМ і АФМ’ різні. Лінійний магнітний дихроїзм виявлено в усіх екситонних і екситон-магнонних смугах видимої області. Величина дихроїзму в них достатня для візуалі-зації АФМ доменів при використанні комп'ютерних методів. Одержані дані важливі також для проблеми переключення АФМ доменів з допомогою потоків поляризованого світла. 1 2 Магнітні вузли MnF2 М.Ф.Харченко, О.В.Милославська (ФНТ, т.31, в. 8/9, 2005) Оптична візуалізація доменів можлива при використанні лінійного магніто-оптичного ефекту. Але в вікнах прозорості MnF2 ефект надзвичайно малий і ще не виявлений MnF2 - класичний тетрагональний 2-х підґратковий спіновий антиферомагнетик. Використовується, зокрема, в обмінно зв’язаних структурах АФМ/ФМ. Задачі візуального контролю його доменного стану та керування АФМ доменною структурою в ньому стоять на часі